Gebruikstips voor bipolaire transistors met geïsoleerde poort
Mar 17, 2026
Laat een bericht achter
De Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is een spannings{0}}gestuurd schakelapparaat dat veel wordt gebruikt in elektronische systemen met gemiddeld{1}} tot hoog- vermogen, en combineert de voordelen van de hoge ingangsimpedantie en eenvoudige aandrijving van MOSFET's met de lage geleidingsspanningsval en het hoge stroomvoerende vermogen van BJT's.
Basisgebruikspunten
Vereisten voor rijspanning
IGBT's zijn spannings-apparaten. Er moet een spanning van +12V tot +18V (typische waarde) worden aangelegd tussen de poort en de emitter om deze in te schakelen; voor het uitschakelen-kan 0V of negatieve spanning (zoals -5V tot -15V) worden toegepast om het anti-interferentievermogen te verbeteren en het uitschakelen te versnellen.
De gate-aandrijfspanning mag niet hoger zijn dan ±20V, anders kan de gate-oxidelaag beschadigd raken.
Selectie van stroom- en spanningswaarde
IGBT's kunnen stromen van enkele honderden ampères (bijvoorbeeld meer dan 500 A) en spanningen van enkele duizenden volts aan. Bij het selecteren moet een marge van 20%~30% worden aangehouden om schade door overspanning of overstroom te voorkomen.
Aanvraag sturen